理化学研究所（理研）光量子工学研究領域 理研-SIOM連携ユニットの杉岡幸次ユニットリーダーらの国際共同研究チーム※は、最適化した「フェムト秒ベッセルビーム[1]」（1フェムト秒は1,000兆分の1秒、10－15秒）を用いて、次世代の3次元シリコン大規模集積回路（SiLSI）の高集積化・高速度化につながる高品質・高アスペクト比[2]の「シリコン貫通穴（TSV）[3]」を作製する技術を開発しました。
理化学研究所（理研）光量子工学研究領域 理研-SIOM連携ユニットの杉岡幸次ユニットリーダーらの国際共同研究チーム※は、最適化した「フェムト秒ベッセルビーム[1]」（1フェムト秒は1,000兆分の1秒、10－15秒）を用いて、次世代の3次元シリコン大規模集積回路（SiLSI）の高集積化・高速度化につながる高品質・高アスペクト比[2]の「シリコン貫通穴（TSV）[3]」を作製する技術を開発しました。