不揮発性磁気メモリーMRAMの3次元積層プロセスを開発 [産総研]

国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】金属スピントロニクスチーム 薬師寺 啓 研究チーム長、集積マイクロシステム研究センター【研究センター長 廣島 洋】 高木 秀樹 総括研究主幹、ウエハレベル実装研究チーム 倉島 優一 主任研究員、ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 安田 哲二】3D集積システムグループ 菊地 克弥 研究グループ長、渡辺 直也 主任研究員は、内閣府 総合科学技術・イノベーション会議(CSTI)が主導する革新的研究開発推進プログラム(ImPACT)の佐橋 政司 プログラム・マネージャーの研究プログラムの一環として、次世代の不揮発性メモリーである磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発した。

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170516/pr20170516.html

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