世界最高レベルの低抵抗を実現した「トレンチゲート構造SiC-MOSFET」の開発について [富士電機]

富士電機株式会社（代表取締役社長：北澤 通宏、本社：東京都品川区）は、世界最高レベルの低抵抗を実現し、パワエレ機器の大幅な省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET※1」を開発しましたので、お知らせいたします。

http://www.fujielectric.co.jp/about/news/detail/2017/20170626093016489.html