大電流動作と低立上り電圧を実現するGaNダイオードを開発 [パナソニック]

パナソニック株式会社 オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社は、従来の4倍※1となる大電流動作ができ、低立上り電圧[1]のため低電圧での動作にも対応するGaN[2]ダイオード[3]を開発しました。これは新たに低電圧で電気を流す部分と、高電圧に伴い大電流化された場合に電気が通る部分をそれぞれ別に備えたハイブリッド構造にすることで実現しました。

http://news.panasonic.com/press/news/data/2015/09/jn150930-3/jn150930-3.html

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