磁性体メモリSTT-MRAMを用いた電力性能世界最高のキャッシュメモリを開発 [東芝]

当社は、高性能プロセッサやSoC(System on Chip)チップ向けに、65nm世代のシリコントランジスタに混載した4Mbクラスの新方式磁性体メモリSTT-MRAMメモリ回路を開発しました。
本メモリ回路は、3.3nsメモリアクセスというキャッシュメモリ用に十分な高速性能を有し、さらに、従来の混載メモリ(SRAM)と比較して消費電力を10分の1以下にできます。これは、あらゆる種類の混載メモリと比べて世界最高の電力性能となります。本技術の詳細は、米国サンフランシスコで開催される半導体回路国際会議ISSCCにて、2月2日(現地時間)に発表します。

http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1602_02.htm