筑波大学 計算科学研究センターの小野 倫也 准教授らは、電子デバイス中の電子の流れを原子・電子のスケールから高速・高精度に予測できる計算方法を開発しました。さらに、次世代省エネパワーデバイスとして有力な候補である、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）デバイスにおける内部の界面での電子の流れる通路に着目した第一原理シミュレーションを世界で初めて行うことで、ＳｉＣデバイスの性能を低下させる要因のひとつを発見しました。
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20170125/index.html