当社は、世界で初めて注1TSV注2技術を用いた3ビット/セル(TLC)の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を試作し、2017年6月から開発用に試作品の提供を開始しました。製品のサンプル出荷は2017年中を予定しています。
https://www.toshiba-memory.co.jp/company/news/20170711-1.html
当社は、世界で初めて注1TSV注2技術を用いた3ビット/セル(TLC)の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を試作し、2017年6月から開発用に試作品の提供を開始しました。製品のサンプル出荷は2017年中を予定しています。
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