奈良先端科学技術大学院大学（学長：横矢直和）物質創成科学研究科 田口宗孝（たぐちむねたか）特任助教、大門寛（だいもんひろし）教授、理化学研究所（理事長：松本 紘）放射光科学総合研究センター 大浦正樹（おおうらまさき）ユニットリーダー、イタリアIstituto Officina dei Materiali CNR Laboratorio（物質材料国立研究所）のG. Panaccione（ジャンカルロ・パナチオーネ）博士、イギリスDiamond Light Source（ダイヤモンド放射光施設）の G. van der Laan（ゲリット・ヴァンデルラーン）教授らの国際共同研究グループは、放射光施設Diamond（イギリス）と大型放射光施設SPring-8※1（日本）の世界最高性能のX線光電子分光※2実験と理論解析を組み合わせることで、スピントロニクス材料でデバイスを作る際に妨げとなる表面不活性層の深さ分布を、定量的に評価することに成功しました。不活性層の層構造を非破壊で定量的に測定できるようになったことで、スピントロニクスデバイスの開発研究が大幅に促進されることが期待できます。