富士通株式会社（以下、富士通）と株式会社富士通研究所（注1）（以下、富士通研究所）は、炭化シリコン（SiC）（注2）基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を世界で初めて開発しました。本技術を高出力窒化ガリウム（GaN）（注3）高電子移動度トランジスタ（HEMT）（注4）の放熱に活用することで、高出力での安定動作を可能にします。
富士通株式会社（以下、富士通）と株式会社富士通研究所（注1）（以下、富士通研究所）は、炭化シリコン（SiC）（注2）基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を世界で初めて開発しました。本技術を高出力窒化ガリウム（GaN）（注3）高電子移動度トランジスタ（HEMT）（注4）の放熱に活用することで、高出力での安定動作を可能にします。