国立研究開発法人物質・材料研究機構（以下NIMS） 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の深田直樹グループリーダーを中心とする研究グループとジョージア工科大のグループは、高速トランジスタチャネル材料として利用可能な、中心（コア）がゲルマニウム、外側（シェル）がシリコンという二重層のコアシェルナノワイヤを開発しました。さらに、不純物がドーピングされたシリコン層とキャリアが輸送されるゲルマニウム層が混ざり合っておらず、ゲルマニウム層でキャリアが発生していることを実証しました。
国立研究開発法人物質・材料研究機構（以下NIMS） 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の深田直樹グループリーダーを中心とする研究グループとジョージア工科大のグループは、高速トランジスタチャネル材料として利用可能な、中心（コア）がゲルマニウム、外側（シェル）がシリコンという二重層のコアシェルナノワイヤを開発しました。さらに、不純物がドーピングされたシリコン層とキャリアが輸送されるゲルマニウム層が混ざり合っておらず、ゲルマニウム層でキャリアが発生していることを実証しました。