ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、東京工業大学の波多野 睦子 教授と産業技術総合研究所の山崎 聡 主幹研究員らのグループは、ダイヤモンド半導体を用いた接合型電界効果トランジスターを作製し、動作させることに世界で初めて成功しました。
グリーンイノベーションの一環として、スマートグリッドの開発が進められていますが、そのキーテクノロジーとして１．０ｋＶを超える高い電圧に耐え、低損失でオン・オフできる小型の半導体パワーデバイスの開発が求められています。ダイヤモンド半導体は、半導体の中で最も高い絶縁耐圧と最も高い熱伝導率という優れた特性を持つため、候補材料として大いに期待されています。しかし、これまで、ｐ型とｎ型が横方向に隣り合う横型ｐｎ接合を形成することの難しさ、特に特定の位置を選択して低抵抗のｎ型ダイヤモンド半導体を作ることの困難さから、パワーデバイスである接合型電界効果トランジスターは実現していませんでした。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20120827/pr20120827.html