大阪大学大学院工学研究科の細井卓治助教、渡部平司教授、京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授、ローム株式会社、東京エレクトロン株式会社は共同で、高誘電率ゲート絶縁膜(アルミニウム酸窒化物：AlON)を採用したシリコンカーバイド(SiC)パワーMOSFETを開発し、電流駆動力と長期信頼性の向上を達成しました。本成果は省エネルギーの切り札であるSiCパワーデバイスの普及を加速し、低炭素社会実現に大きく貢献することが期待されます。
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