半導体メーカーのローム株式会社(本社：京都市)は、サーバー電源、産機、省エネ家電などの電源やPFC回路向けに新しいデバイス構造を採用することで、機器の大幅な省エネ化に最適な高耐圧新型トランジスタ「Hybrid MOS」を開発しました。 この新型トランジスタでは、スーパージャンクションMOSFETとIGBTのデバイス構造を融合させることにより、MOSFETの高速スイッチング特性・低電流性能とIGBTの高耐圧特性という両方の良特性を兼ね備えることに成功しました。これにより、大電流時から小電流時までフルレンジでの省エネ化が可能となります。
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