独立行政法人産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス研究センター【研究センター長 奥村 元】福田 憲司 総括研究主幹、超高耐圧デバイスチーム 米澤 喜幸 研究チーム長らのグループは、炭化ケイ素（SiC）半導体を用いて、16 kVという超高耐電圧特性を持つ独自構造の絶縁ゲートバイポーラ・トランジスタ（IGBT）を開発した。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2013/pr20130925/pr20130925.html