高昇華レートを実現するSiCバルク単結晶成長用粉末原料を開発 [産総研]

独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下、「産総研」という)先進パワーエレクトロニクス研究センター【研究センター長 奥村 元】ウェハプロセスチーム 加藤 智久 研究チーム長は、太平洋セメント株式会社【代表取締役社長 福田 修二】(以下、「太平洋セメント」という)および屋久島電工株式会社【代表取締役社長 下泉 学】(以下、「屋久島電工」という)と共同で、パワー半導体用炭化ケイ素(SiC)バルク単結晶の高速成長を可能とする昇華法用高純度SiC粉末原料を開発した。

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2013/pr20131203/pr20131203.html

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