独立行政法人物質・材料研究機構（理事長：潮田資勝）国際ナノアーキテクトニクス研究拠点（拠点長：青野正和）の吉澤俊介ポスドク研究員、内橋隆MANA 研究者、中山知信主任研究者、川上拓人ポスドク研究員、古月暁主任研究者らのグループと、国立大学法人東京大学物性研究所のKim Howon（キム・ホワン）ポスドク研究員、長谷川幸雄准教授らからなる研究チームは、シリコン表面上に形成した原子レベル厚さの超伝導体において、原子 1個分の高さの段差（原子ステップ）が超伝導電流の流れを制御するジョセフソン接合として働くことを発見しました。
http://www.nims.go.jp/news/press/2014/12/201412110.html