ノイズを劇的に低減した立体型トランジスタを実現 [産総研]

独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 安田 哲二】シリコンナノデバイスグループ 松川 貴 上級主任研究員、昌原 明植 研究グループ長らは、立体型トランジスタ(フィンFET)の低周波ノイズをこれまでの最小レベルに低減する技術の開発を行った。

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141215/pr20141215.html

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