独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 安田 哲二】新材料・機能インテグレーショングループ 森 貴洋 研究員らは、大規模集積回路（LSI）の3次元（3D）積層技術の実現に向けて、新たな多結晶膜形成技術を開発し、N型多結晶ゲルマニウム（Ge）トランジスタの性能を大幅に改善した。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2014/pr20141216/pr20141216.html