テキサス州オースチン-RF(無線周波数)パワー・トランジスタのグローバル・リーダーであるフリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は本日、業界最高の温度性能とワイドバンド性能を備えた125W CW GaN-on-SiCトランジスタを発表しました。この新しいMMRF5014Hは、広範な動作帯域幅に対応しているため、科学装置のワイドバンド・アンプや、アメリカ国防部門のジャマーやレーダー、電子戦システムといった軍事通信製品の広帯域アンプで理想的な性能を発揮します。
テキサス州オースチン-RF(無線周波数)パワー・トランジスタのグローバル・リーダーであるフリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は本日、業界最高の温度性能とワイドバンド性能を備えた125W CW GaN-on-SiCトランジスタを発表しました。この新しいMMRF5014Hは、広範な動作帯域幅に対応しているため、科学装置のワイドバンド・アンプや、アメリカ国防部門のジャマーやレーダー、電子戦システムといった軍事通信製品の広帯域アンプで理想的な性能を発揮します。