未来の磁気メモリー材料開発につながる新たな電気分極成分を発見 [産総研]

東京大学物性研究所の徳永将史 准教授らの研究グループは、産業技術総合研究所で最近作製に成功したビスマスフェライトの良質な単結晶試料に対し、東京大学物性研究所の国際超強磁場科学 研究施設で強磁場下における磁気的および電気的応答を精密に調べました。この精密測定に必要な試料の整形は上智大学の装置を用いて行いました。その結果、 これまで知られていた結晶のc軸と平行な電気分極の他に、これと垂直な電気分極が存在すること、そしてこの新たな電気分極成分が磁場によって制御可能であることがわかりました。

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20150113/pr20150113.html

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