新方式磁性体メモリ素子を用いた世界最高性能のプロセッサ用不揮発メモリ回路を開発 [東芝]

当社は、高性能プロセッサやSoC（System on Chip）チップ向けに、１Mbクラスの新方式磁性体メモリSTT-MRAMメモリ回路を開発しました。当社で開発した消費電力が小さい磁性体メモリMTJ(Magnetic Tunnel Junction)を高速かつ低消費電力で効率よく動作させるためのメモリ回路を開発しました。

http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1503_01.htm