当社は、次世代パワー半導体として有望視される炭化珪素（SiC）を材料とする、独自構造のパワートランジスタを開発し、EV/HEV（電気自動車／ハイブリッド電気自動車）や太陽光パワーコンディショナなどの用途に適した、低オン抵抗、高安定性などの優れた特長を実現しました。
当社は、次世代パワー半導体として有望視される炭化珪素（SiC）を材料とする、独自構造のパワートランジスタを開発し、EV/HEV（電気自動車／ハイブリッド電気自動車）や太陽光パワーコンディショナなどの用途に適した、低オン抵抗、高安定性などの優れた特長を実現しました。