不揮発磁気メモリー(STT-MRAM)の記憶安定性を2倍に向上 [産総研]

国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】金属スピントロニクスチーム 薬師寺 啓 研究チーム長は、次世代のメモリーデバイスであるスピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT-MRAM)に用いられる垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子の記憶安定性を従来の2倍に向上させた。

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2015/pr20151217/pr20151217.html

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