NXPセミコンダクターズN.V.は、スモールセル基地局向けにブロードバンド28V LDMOS 2段デュアルパス・ドハティ最適化ICの業界最大の製品ラインナップを発表しました。新しいLDMOS ICは業界をリードするNXPのRFパワー・トランジスタ製品ラインナップを構成しており、RF出力範囲は2.5～12Wで、今後導入が予定されている周波数帯を含め、700～3,800MHzの全周波数帯域で優れたRF出力、効率、ゲインを提供します。
NXPセミコンダクターズN.V.は、スモールセル基地局向けにブロードバンド28V LDMOS 2段デュアルパス・ドハティ最適化ICの業界最大の製品ラインナップを発表しました。新しいLDMOS ICは業界をリードするNXPのRFパワー・トランジスタ製品ラインナップを構成しており、RF出力範囲は2.5～12Wで、今後導入が予定されている周波数帯を含め、700～3,800MHzの全周波数帯域で優れたRF出力、効率、ゲインを提供します。