内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ＩｍＰＡＣＴ）佐橋 政司 プログラム・マネージャーの研究開発プログラムの一環として、東北大学 原子分子材料科学高等研究機構（ＷＰＩ－ＡＩＭＲ）の鈴木 和也 助手と水上 成美 教授は、垂直磁化マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）素子注１）の開発に成功しました。これは次世代の不揮発性磁気抵抗メモリ（ＭＲＡＭ）注２）開発に貢献する成果です。本研究は、ＷＰＩ－ＡＩＭＲのレザランジバル 助手、杉原 敦 助手（現産業技術総合研究所 研究員）、ならびに岡林 潤 准教授（東京大学 大学院理学系研究科）、三浦 良雄 准教授（京都工芸繊維大学 電気電子工学系）、土浦 宏紀 准教授（東北大学 大学院工学研究科）との共同研究です。