国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 安田 哲二】ナノCMOS集積グループ 森 貴洋 主任研究員、松川 貴 研究グループ長らは、シリコントンネル電界効果トランジスタ（トンネルFET）を用いたリング発振回路の動作を実現すると共に、動作速度を2倍に向上させた。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2016/pr20161205/pr20161205.html
国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 安田 哲二】ナノCMOS集積グループ 森 貴洋 主任研究員、松川 貴 研究グループ長らは、シリコントンネル電界効果トランジスタ（トンネルFET）を用いたリング発振回路の動作を実現すると共に、動作速度を2倍に向上させた。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2016/pr20161205/pr20161205.html