理化学研究所（理研）光量子工学研究領域テラヘルツ研究グループ テラヘルツ量子素子研究チームの平山秀樹チームリーダー、ティン・トラン国際特別研究員、前田哲利技師、定昌史研究員らの研究チーム※は、シリコン（Si）基板上に窒化アルミニウム（AlN）半導体[1]の高品質結晶を製膜することに成功しました。従来よりも安価、かつ高効率で発光する深紫外LED[2]の実現につながる成果です。
理化学研究所（理研）光量子工学研究領域テラヘルツ研究グループ テラヘルツ量子素子研究チームの平山秀樹チームリーダー、ティン・トラン国際特別研究員、前田哲利技師、定昌史研究員らの研究チーム※は、シリコン（Si）基板上に窒化アルミニウム（AlN）半導体[1]の高品質結晶を製膜することに成功しました。従来よりも安価、かつ高効率で発光する深紫外LED[2]の実現につながる成果です。