RFパワーのリーダー企業であるNXP Semiconductors N.V.は、最大65Vまでの電源電圧に対応する新LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor：横方向拡散金属酸化膜半導体） RFパワートランジスタ技術を発表しました。この超高電圧LDMOSプロセスは、「MRFXシリーズ」という新世代製品の開発を促進します。
RFパワーのリーダー企業であるNXP Semiconductors N.V.は、最大65Vまでの電源電圧に対応する新LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor：横方向拡散金属酸化膜半導体） RFパワートランジスタ技術を発表しました。この超高電圧LDMOSプロセスは、「MRFXシリーズ」という新世代製品の開発を促進します。