0.13μm世代のアナログパワー半導体向けに高いHBM耐量と負電圧耐性を両立した完全分離型Nチャネル-LDMOSの開発 [東芝]

当社は、業界最先端である0.13μm世代のアナログパワー半導体向けに、従来トレードオフの関係にあった人体帯電モデル[注1]（HBM）耐量と負電圧耐性を両立した完全分離型NチャネルLDMOS[注2]の素子を開発しました。

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2017/06/corporate-20170601-1.html