株式会社日立製作所(執行役社長兼CEO:東原 敏昭／以下、日立)は、高温および放射線耐性に優れた炭化ケイ素(SiC)を用いたCMOS*1(SiC-CMOS)集積回路技術を開発しました。本技術により、自動車・産業機器を始め、原子力発電や航空宇宙といった産業において、過酷環境下におけるセンシングデータの高精度な信号処理が可能となります。今後、日立は本技術とセンサーを組合せ、あらゆる環境で安定的に動作する高信頼なエッジコンピューティングの実現に貢献します。
株式会社日立製作所(執行役社長兼CEO:東原 敏昭／以下、日立)は、高温および放射線耐性に優れた炭化ケイ素(SiC)を用いたCMOS*1(SiC-CMOS)集積回路技術を開発しました。本技術により、自動車・産業機器を始め、原子力発電や航空宇宙といった産業において、過酷環境下におけるセンシングデータの高精度な信号処理が可能となります。今後、日立は本技術とセンサーを組合せ、あらゆる環境で安定的に動作する高信頼なエッジコンピューティングの実現に貢献します。