高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを実現 [産総研]

独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター【連携研究体長 横山 直樹】池田 圭司 特定集中研究専門員らは、集積回路(LSI)の消費電力低減に有効な、高性能ひずみゲルマニウム(Ge)ナノワイヤトランジスタを開発した。

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20120611/pr20120611.html

error: Content is protected !!
上部へスクロール