比類のないレベルで堅牢性、周波数範囲、ブロードバンド性能を組み合わせた新しいRFパワー・トランジスタを発表 [フリースケール]

フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社(本社:東京都目黒区下目黒1-8-1、代表取締役社長:ディビッド M. ユーゼ)は、幅広い周波数範囲にわたり耐反射性能と広帯域動作を実現するRFパワー・デバイスを求める市場ニーズに応えるべく、広範な用途に対応する2種のデバイスを発表しました。LDMOSプロセス技術を利用して製造したRFパワー製品において、新次元のリニアリティと堅牢性を実現します。

http://www.freescale.co.jp/pressrelease/article.php?id=662

error: Content is protected !!
上部へスクロール