エルピーダメモリ株式会社(本社:東京都中央区、代表取締役社長兼CEO:坂本幸雄 以下、エルピーダ)は、このたび、次世代新メモリの一種である高速不揮発性抵抗変化型メモリ(ReRAM)の開発に初めて成功いたしました。回路線幅が50nm(ナノメートル)の製造技術プロセスを用いた試作品で、ReRAMでは世界最高レベルの大容量となる64M(メガ)ビットのメモリセルアレイ動作を確認したものです。
エルピーダメモリ株式会社(本社:東京都中央区、代表取締役社長兼CEO:坂本幸雄 以下、エルピーダ)は、このたび、次世代新メモリの一種である高速不揮発性抵抗変化型メモリ(ReRAM)の開発に初めて成功いたしました。回路線幅が50nm(ナノメートル)の製造技術プロセスを用いた試作品で、ReRAMでは世界最高レベルの大容量となる64M(メガ)ビットのメモリセルアレイ動作を確認したものです。