ＪＳＴ 戦略的創造研究推進事業において、東京大学 大学院工学系研究科の喜多 浩之 准教授らは次世代のパワーデバイス注１）材料として期待されるシリコンカーバイド（ＳｉＣ）注２）上に形成される絶縁膜材料との間の「界面欠陥注３）」を大幅に低減し、理想性能に近づける新しい改質手法を開発しました。
ＪＳＴ 戦略的創造研究推進事業において、東京大学 大学院工学系研究科の喜多 浩之 准教授らは次世代のパワーデバイス注１）材料として期待されるシリコンカーバイド（ＳｉＣ）注２）上に形成される絶縁膜材料との間の「界面欠陥注３）」を大幅に低減し、理想性能に近づける新しい改質手法を開発しました。