当社は、携帯電話の電波の増幅に使用するＣＭＯＳパワーアンプの電波のひずみを低減する回路技術を開発し、世界で初めてＣＭＯＳパワーアンプに集積しました。本成果については、アメリカで開催中の半導体国際学会「ISSCC2012」において２月２０日（米国時間）に発表します。
ＣＭＯＳパワーアンプは携帯電話の電波を遠くまで届けるための増幅に使われます。従来、電波状態を安定させるためのひずみ低減処理は演算量が多く回路が大きくなってしまうため、携帯電話用のパワーアンプに集積できませんでした。また、設置面積が限られているため外付け回路にもできませんでした。
そこで、今回、当社は携帯電話が基地局から遠距離にある時のみ電波がひずむことに着目しました。パワーアンプからの出力パワーが０．２W以上となる時に限定してひずみ低減技術を作用させることで処理を単純化して回路を小さくし、世界で初めてＣＭＯＳパワーアンプへの集積を実現しました。