１９ｎｍプロセスを用いて世界最大容量１２８ギガビットを実現したＮＡＮＤ型フラッシュメモリを開発 [東芝]

株式会社 東芝

当社は、１９ｎｍプロセスを用いて世界最大容量１２８ギガビット（１６ギガバイト）を実現した３ビット／セルのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを開発し、米国で開催中の半導体国際学会ＩＳＳＣＣで２月２２日（現地時間）に、サンディスクコーポレーションと共同で発表しました。本製品については、今月から量産出荷を開始しています。