2層構造のクロスポイント型で新ReRAMを開発 [パナソニック]

パナソニック株式会社

パナソニック株式会社は、高速・大容量化に適した、多層構造のクロスポイント型ReRAMを開発しました。2層のクロスポイント構造を0.18μmプロセスで試作し、記憶容量8Mbit、書込み転送速度443MB/sの超高速動作を実現しました。本開発は、次世代の不揮発性メモリーとして期待されるReRAMの高速化と、飛躍的な大容量化を可能とするものです。