ＪＳＴ 戦略的創造研究推進事業において、東京大学 大学院工学系研究科の高木 信一 教授らは、極低電圧での動作が可能な新しい構造のトンネル電界効果トランジスター注１）を開発しました。
ＩＴ機器の消費エネルギーの増大は、国際的にも重大な課題であり、従来のＭＯＳトランジスター注２）とは動作原理の異なる、極低消費電力で動作するデバイスの開発競争が激しくなっています。
本研究グループは、今回、従来のＭＯＳ（金属酸化膜半導体）トランジスターとほぼ同等の素子構造で、Ｓｉ（シリコン）に引張り応力を加えたひずみＳｉ注３）とＧｅ（ゲルマニウム）のヘテロ界面注４）からなる接合を用いる新しいトンネル電界効果トランジスターを実現しました。このトランジスターは、ゲート電圧注５）のわずかな変化で極めて大きな電流変化を実現し、素子のオン状態とオフ状態での電流比を世界最高値にまで高めることに成功しました。