トポロジカル絶縁体の表面ディラック状態の量子化を実証 [理化学研究所]

理化学研究所(理研)創発物性科学研究センター強相関物性研究グループの吉見龍太郎研修生(東京大学大学院工学系研究科博士課程)、十倉好紀グループディレクター(同研究科教授)、強相関界面研究グループの川﨑雅司グループディレクター(同研究科教授)、東北大学金属材料研究所の塚﨑敦教授らの共同研究グループは、新物質のトポロジカル絶縁体[1]「(Bi1-xSbx)2Te3」薄膜を用いて、エネルギー損失なく電流が流れる「整数量子ホール効果[2]」を初めて観測し、トポロジカル絶縁体の表面ディラック状態[3]の量子化を実証しました。

http://www.riken.jp/pr/press/2015/20150414_2/

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