NECは、シリコン光集積回路技術を利用して、高いオンオフ比(消光比)と環境温度に依存しない特性を有する光スイッチを開発しました。
このたび開発した光スイッチは、LSI製造向け標準CMOSプロセスを活用して形成したシリコン光導波路をベースに、ヒータによる局所加熱で光路を制御する微小な素子152個を集積化し、入射8ポート/出射8ポートの間の光経路を自由に設定する機能を16mm×12mmのチップ上で実現したものです。
NECは、シリコン光集積回路技術を利用して、高いオンオフ比(消光比)と環境温度に依存しない特性を有する光スイッチを開発しました。
このたび開発した光スイッチは、LSI製造向け標準CMOSプロセスを活用して形成したシリコン光導波路をベースに、ヒータによる局所加熱で光路を制御する微小な素子152個を集積化し、入射8ポート/出射8ポートの間の光経路を自由に設定する機能を16mm×12mmのチップ上で実現したものです。