NEDOのプロジェクトにおいて、（株）東芝と東京大学は、コンピュータのキャッシュメモリ用に十分な高速性能を有し、従来の混載メモリ（SRAM）と比較して消費電力を10分の1以下の4Mビットクラスの新方式磁性体メモリ（STT-MRAM）回路を開発しました。これはあらゆる種類のメモリと比較して世界最高の電力性能となります。
今回、（株）東芝と東京大学は、その成果を半導体回路国際会議ISSCC2016において、2月2日（現地時間）に発表します。
NEDOのプロジェクトにおいて、（株）東芝と東京大学は、コンピュータのキャッシュメモリ用に十分な高速性能を有し、従来の混載メモリ（SRAM）と比較して消費電力を10分の1以下の4Mビットクラスの新方式磁性体メモリ（STT-MRAM）回路を開発しました。これはあらゆる種類のメモリと比較して世界最高の電力性能となります。
今回、（株）東芝と東京大学は、その成果を半導体回路国際会議ISSCC2016において、2月2日（現地時間）に発表します。