グラフェンの先へ　新材料でトランジスタを開発 [東京工業大学]

東京工業大学 工学院 電気電子系の宮本恭幸教授らと理化学研究所、岡山大学からなる共同研究チームは、新しい二次元材料である二硫化ハフニウム（HfS2）を用いたMOSトランジスタ[用語1]を開発した。
http://www.titech.ac.jp/news/2016/035006.html