内閣府総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラムＩｍＰＡＣＴ（プログラム・マネージャー：佐橋 政司）の一環として、東北大学 大学院工学研究科の佐橋 政司 教授と野崎 友大 准教授らは、クロム酸化物の反強磁性スピン注１）の向きを低電圧で１８０度反転させることに成功し、反転に必要な電界の大きさを２桁低減する技術を開発しました。本研究成果によって、数十ナノメートル注２）のクロム酸化物反強磁性体薄膜を用い、１Ｖ以下の低電圧で反強磁性スピンを反転させることが可能となり、スピンの電圧制御を用いた反強磁性体スピントロニクス注３）の超低消費電力磁気記録デバイスへの適用が現実的になりました。本研究の成果を磁気メモリやハードディスクドライブなどに適用することにより、漂遊磁界注４）の抑制による高記録密度化や書き込み時のジュール発熱の抑制による、より一層の低消費電力化が期待されます。