国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 安田 哲二】Wen Hsin Chang 産総研特別研究員、3D集積システムグループ 入沢 寿史 主任研究員、同研究部門 前田 辰郎 研究主幹らは、シリコン（Si）の性能を凌駕する材料として有望視されているゲルマニウム（Ge）の膜厚10 nm以下の均一な超薄膜構造の作製法を開発した。さらにこのナノメートルレベルの均一なGe超薄膜を絶縁膜で挟むと、Ge超薄膜中の電子移動度が著しく向上することを発見した。これは、絶縁膜で挟まれた5 nm以下の半導体薄膜では、界面の不均一性や半導体薄膜の膜厚揺らぎの影響によって電子移動度が著しく減少するという、従来の半導体の常識を覆す現象である。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170605_2/pr20170605_2.html