国内初、次世代パワー半導体SiC-SBD搭載産業用インバータの開発について [富士電機]

富士電機株式会社

富士電機株式会社（東京都品川区、代表取締役社長：北澤通宏）は、次世代パワー半導体デバイスとして期待されるSiC（Silicon Carbide）を活用したSiC-SBD（SiC-Schottky Barrier Diode）を開発しておりますが、今回このSiCデバイスを搭載した産業用インバータ「FRENIC-MEGA GX-SiCシリーズ」を開発しましたのでお知らせ致します。

本製品は、SiCデバイスを搭載した産業用インバータとしては、国内初の製品となります。