国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）製造技術研究部門【研究部門長 市川 直樹】センシング材料研究グループ 上原 雅人 主任研究員らは、株式会社 村田製作所【代表取締役 村田 恒夫】（以下「村田製作所」という）と共同で、低コストで成膜温度の低いRFスパッタ法を用いた、単結晶と同等の圧電性能を示す窒化ガリウム（GaN）薄膜を作製できる方法を見いだした。さらに、スカンジウム（Sc）添加で圧電性能が飛躍的に向上することを実証し、GaNとしては現在、世界最高性能の圧電薄膜を開発した。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170831_2/pr20170831_2.html