1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発 [産総研]

 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】(以下「産総研」という)先進パワーエレクトロニクス研究センター【研究センター長 奥村 元】SiCパワーデバイスチーム 原田 信介 研究チーム長らのグループは、富士電機株式会社との共同研究で、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた1200 V(ボルト)耐電圧(耐圧)クラスのトランジスタである縦型MOSFETとして、低いオン抵抗と内蔵ダイオードの高い信頼性を両立した独自構造のデバイス(SWITCH-MOS:SBD-Wall Integrated Trench MOS)を開発し、量産レベルの試作品で性能を実証した。

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20171205/pr20171205.html