新たな原理による強誘電抵抗変化メモリーを開発 [独立行政法人 産業技術総合研究所]

独立行政法人 産業技術総合研究所

独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】（以下「産総研」という）電子光技術研究部門【研究部門長 原市 聡】強相関エレクトロニクスグループ 澤 彰仁 研究グループ長、山田 浩之 主任研究員、鶴巻 厚 産総研特別研究員は、導電性をもつ酸化物強誘電体を用いて新しい酸化物抵抗変化メモリー（抵抗変化メモリー（Resistance Random Access Memory: ReRAM））を開発した。