ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、東京大学 大学院工学系研究科の竹内 健 准教授、慶應義塾大学 理工学部の黒田 忠広 教授と石黒 仁揮（イシクロ ヒロキ） 准教授らの研究チームは、非接触型の固体記憶媒体ソリッド・ステート・ドライブ（ＳＳＤ）メモリーの研究開発において、キー技術である１）高信頼メモリーシステム、２）ワイヤレス通信システム、３）ワイヤレス給電システムの最先端研究を進めてきました。
同チームは、今回、１）フラッシュメモリーの寿命を最大１０倍（実験値）に延ばすことができる誤り訂正回路、２）メモリーモジュールを回路基板に載せるだけでプロセッサーと双方向通信できる世界最高速（１ピン当たり毎秒７ギガビット）の非接触メモリーシステム、３）最大０.５２Ｗの電力を数マイクロ秒の応答速度（従来比２桁高速化）で伝送できる非接触給電システムの３つの革新的新技術を開発しました。これらの研究成果である技術を統合することにより、１２８ギガビット以上の大容量ワイヤレスＳＳＤメモリー製作が可能となるため、データーセンターでは従来のハードディスクからＳＳＤメモリーへの置き換えにより処理速度の１０倍高速化、消費電力半減化が可能になるほか、世界市場１兆円規模のメモリーモジュールビジネスに大きな経済効果をもたらす可能性があります。同技術はまた、将来、小型バッテリーフリーの大容量メモリーカードを実現する際にも鍵となる革新技術としても期待されます。