ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、九州大学 稲盛フロンティア研究センターの木村 崇 教授と九州大学 大学院システム情報科学研究院の浜屋 宏平 准教授らは、次世代のスピン（磁気）を使った電子素子（デバイス）に応用が期待される「純スピン流」の生成効率を飛躍的に改善することに成功しました。
電子が持つスピンの性質を利用するスピンデバイスは、次世代の省エネルギーデバイスとして注目されていますが、エネルギー利用効率の良い情報書き込み手段として、電荷の流れ（電流）を伴わない純スピン流を用いる画期的な手法が知られています。しかし、これまでは、純スピン流の生成効率が極めて悪いため、総消費電力を下げることが難しいという問題がありました。
本研究グループは、スピンの向きをそろえた完全スピン偏極状態が期待できるフルホイスラー合金（Ｃｏ２ＦｅＳｉ）の高品質薄膜成長技術を確立しました。それをスピン生成源としてデバイスに組み込むことで、一桁以上の純スピン流生成効率向上に成功しました。